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パワーエレクトロニクスの研究開発についての提案 資料2－8
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
これからの日本の匠に期待して
ワイドギャップ半導体素子の破壊防止技術 [ PDF：928KB ]
Si，サファイア, SiC，GaN の研磨とそのメカニズム The polishing
“酸化ガリウム（Ga2O3）MOS トランジスタ”を世界で初めて実現！
GaNパワーデバイスの理論的な性能限界 Si, SiCとの比較
![ワイドギャップ半導体素子の破壊防止技術 [ PDF：928KB ]](http://s1.slideshowjp.com/store/data/000567964_1-5b3adcc80aa82b10c9c1da997a5b89ca-260x520.png)
