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ASML が EUV 露光装置の開発状況を説明、量産導入は「10nm 世代の
リソグラフィ技術の最新動向
高出力化の課題を克服しつつある 極端紫外（EUV）光源
次世代リソグラフィー EUV やナノインプリントが競うも、本命は ArF 延命
Opening Session - Photomask Japan 2016
事業原簿（公開）9（6.00MB） - 新エネルギー・産業技術総合開発機構
