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高品質GaN系窒化物半導体単結晶の創製とp–n接合青色
GaNのヘテロエピキタシー －Empirical philosophy
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
これからの日本の匠に期待して
2014年ノーベル物理学賞に赤 勇，天野浩，中村修二
豊島区立 熊谷守一美術館だより
Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発
検討進む日本版スチュワード シップコード
