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2 - 岩井・角嶋研究室
ALD 堆積条件による La 2O3/In0.53Ga0.47As
ATR-FTIR法を用いたSiC基板上La 2 O 3 とSiNとの
high-k/Si直接接合構造における 界面準位の定量化
学内LANを利用した動物購入及び実験室予約システム
O - 岩井・角嶋研究室
La - 岩井・角嶋研究室
