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シリコン単電子インバータ ー単電子デバイスによるコンピュータの
低コスト実装可能な高耐湿InP HEMT MMICを開発
一様な薄い三角板の重心
ブラジル中銀が為替介入プログラムの継続を公表
極薄 InP 層を有するダブルリセス構造の適用による ゲート長 0.1
iNPニードル
博士(工 学) 高 橋 浩
こちら。 - システック環境研究所
40Gbps導波路型フォトダイオード（PDF：22.0KB）
Pt/InP ショットキー型水素センサーのセンシングメカニズム
平成22年度共同利用研究成果発表研究会で発表した原稿
インジウムを用いた太陽ニュートリノ半導体検出器の開発 I
Title GaAs, InPの陽極溶解および陽極酸化とその
100 Gbit/s 小型コヒーレントレシーバ向けInP 系90˚ハイブリッド集積型
斜入射 X 線回折法による気相中半導体表面の解析
酸化還元色素電解重合膜の電気化学特性とチロシナーゼを用いた 2,4
端面入射型PIN-PDを用いた 10Gbit/s表面実装型モジュールの開発
10Gbit/s EML-TOSAの開発
A Study on Growth Technology of Novel Materials for Absorption
異なる接触頻度を持つ個体からなる人口集団 における
半導体量子デバイスの多様な展開
「バンド計算」 - Osaka University
高分解能マイクロビーム X 線回折法による InGaAsP 選択成長層の評価
