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Cat-CVD法により保護膜形成したC帯100W超級GaN
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
GaN 系デュアルゲート HEMT による高出力ミキサー
1. 研究・開発におけるシミュレータの実際
X帯25 W級小型電力増幅モジュール
紫外線センサーの開発
Si 基板上パワーデバイス向け MOCVD 装置の開発
GaN HEMT素子の通信用途に向けた 実用化への取組み
窒化物半導体トランジスタの 高温動作に関する研究
