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Si 基板上パワーデバイス向け MOCVD 装置の開発
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
日本の科学研究の未来のために－ノーベル物理学賞受賞を
パワー半導体分野で、いまナガセがご提案していること
Page 1 Page 2 おか もと やす ひろ 学位(専攻分野) 博 士 (工 学) 学 位
GaN HEMTのオン状態ゲート電流の低減（PDF：50.5KB）
GaN 系デュアルゲート HEMT による高出力ミキサー
研究代表者：酒井 士郎（徳島大学・工学部・教授）
第1節 GaN（窒化ガルウム）系パワー・デバイスの技術動向と応用
Cat-CVD法により保護膜形成したC帯100W超級GaN
