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PDFパンフレット(A080 書籍「GaNパワーデバイスの技術展開」)
AlGaN/GaN-HFETにおけるリセスエッチング制御技術
マイクロプラズマ励起大面積高出力深紫外発光素子（MIPE）について 1
TiSi - 東京工業大学
MOCVD による窒化物系電子デバイス構造の大口径 Si
薄層AlGaN構造を用いた電源用GaNパワーデバイスの開発
AlN 基板を用いた高Al 組成AlGaN HEMTの開発
窒化ガリウム系絶縁ゲート型 ヘテロ構造電界効果トランジスタに関する研究
