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平成 21 年 10 月 14 日 報道機関 各位 東北大学多元物質科学研究所
超ハイブリッド材料開発
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発
研究代表者：酒井 士郎（徳島大学・工学部・教授）
