物性物理学特論
第9回講義
磁気光学効果の応用
佐藤勝昭
これまでの講義・これからの講義
2002.9.30(月): 第1回 序論
2002.10.7(月): 第2回 磁気光学効果とは何か。
2002.10.21(月): 第3回 光と磁気の現象論(1)
2002.10.28(月): 第4回 光と磁気の現象論(2)
2002.11.11(月): 第5回 光と磁気の現象論(2)
2002.11.18(月): 第6回 光と磁気の電子論(1)古典電子論
2002.12.2(月): 第7回 光と磁気の電子論(2)量子論
[2002.12.9: 休講:応用物理学会「スピントロニクスセミナー」のため]
2002.12.16(月):第8回 磁気光学スペクトルと電子構造
2003.1.9(木): 第9回 磁気光学効果の応用
2003.1.20(月):第10回 磁気光学効果研究の最近の展開
磁気光学効果の応用
• 光磁気記録(Magneto-optical recording)
• 光通信用磁気光学デバイス(Magneto-optical
devices for optical communication)
• 電流・磁界センサー(Current and magnetic field
sensors)
• 磁区観察(Magnetic domain observation)
光磁気記録
光記録の分類
• 光ディスク
– 再生専用のもの
• CD, CD-ROM, DVD-ROM
– 記録可能なもの
• 追記型(1回だけ記録できるもの)
– CD-R, DVD-R
• 書換型(繰り返し記録できるもの)
– 光相変化 CD-RW, DVD-RAM, DVD-RW, DVD+RW, DVR,
Blue-ray disk
– 光磁気: MO, GIGAMO, MD, MD-Data, AS-MO, iD-Photo
• ホログラフィックメモリ、ホールバーニングメモリ
光記録の特徴
• リムーバブル
• 大容量・高密度
– 現行のもの:ハードディスク(20Gbit/in2)に及ばない
– 超解像、短波長、近接場を利用して100Gbit/in2をめざす
• ランダムアクセス
– 磁気テープに比し圧倒的に有利;カセットテープ→MD,
VTR→DVD
– ハードディスクに比べるとシーク時間がかかる
• 高信頼性
– ハードディスクに比し、ヘッドの浮上量が大きい
光相変化記録
• アモルファス/結晶の相変化を利用
• 書換可能型 成膜初期状態のアモルファスを熱処理に
より結晶状態に初期化しておきレーザ光照射により融
点Tm (600℃)以上に加熱後急冷させアモルファスとし
て記録。消去は結晶化温度Tcr(400℃)以下の加熱緩冷
して結晶化。
– Highレベル:Tm以上に加熱→急冷→アモルファス
– Lowレベル:Tcr以上に加熱→緩冷→結晶化
DVD-RAM: GeSbTe系
DVD±RW: Ag-InSbTe系
相変化と反射率
初期状態:結晶状態
R:大
記録
記録状態:アモル
ファス状態
R:小
消去
レーザスポット
記録マーク
光磁気記録
• 記録: 熱磁気(キュリー温度)記録
– 光を用いてアクセスする磁気記録
• 再生: 磁気光学効果
– 磁化に応じた偏光の回転を電気信号に変換
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MO, MDに利用
互換性が高い
書き替え耐性高い:1000万回以上
ドライブが複雑(偏光光学系と磁気系が必要)
MSR, MAMMOSなど新現象の有効利用可能
光磁気ディスク
– 記録: 熱磁気(キュリー温度)記録
– 再生: 磁気光学効果
– MO: 3.5”
128→230→650→1.3G→2.3G
– MD(6cm)
– iD-Photo, Canon-Panasonic(5cm)
光磁気記録の歴史
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1962 Conger,Tomlinson
光磁気メモリを提案
1967 Mee Fan
ビームアドレス方式の光磁気記録の提案
1971 Argard (Honeywel)
MnBi薄膜を媒体としたMOディスクを発表
1972 Suits(IBM)
EuO薄膜を利用したMOディスクを試作
1973 Chaudhari(IBM) アモルファスGdCo薄膜に熱磁気記録(補償温度記録)
1976 Sakurai(阪大) アモルファスTbFe薄膜にキュリー温度記録
1980 Imamura(KDD) TbFe系薄膜を利用したMOディスクを発表
1981 Togami(NHK) GdCo系薄膜MOディスクにTV動画像を記録
1988 各社
5”MOディスク(両面650MB)発売開始
1889 各社
3.3 ”MOディスク(片面128MB)発売開始
1991 Aratani(Sony) MSR(磁気誘起超解像)を発表
1992 Sony
MD(ミニディスク)を商品化
1997 Sanyo他
ASMO(5”片面6GB:L/G, MFM/MSR)規格発表
1998 Fujitsu他
GIGAMO(3.5”片面1.3GB)発売開始
2001 Sanyo
ディジカメ用iD-Photo(2”, 780MB)発売
2002 Canon-松下
ハンディカメラ用2“3GBディスク発表
光磁気媒体
• MOディスクの構造
ポリカーボネート基板
窒化珪素保護膜・
(MOエンハンス
メント膜を兼ねる)
Al反射層
groove
land
樹脂
MO記録膜
(アモルファスTbFeCo)
光磁気記録 情報の記録(1)
• レーザ光をレンズで集め磁性体を加熱 M
• キュリー温度以上になると磁化を消失
• 冷却時にコイルからの磁界を受けて記録
Tc
温度
Tc
コイル
外部磁界
光磁気記録媒体
光スポット
光磁気記録 情報の記録(2)
• 補償温度(Tcomp)の利用 Hc
• アモルファスTbFeCoは
一種のフェリ磁性体なので
補償温度Tcompが存在
M
• TcompでHc最大:
– 記録磁区安定
Fe,Co
Tb
室温
Tb
FeCo
Mtotal
Tcomp Tc T
アモルファスR-TM合金
光磁気記録 情報の読み出し
• 磁化に応じた偏光の回転を検出し電気に変換
D1
LD
+
D2
N
S
S
N
N
S
偏光ビーム
スプリッタ
MOドライブ
MOドライブの光ヘッド
Bias field coil
Recorded marks
Track pitch
Focusing lens
MO film
Rotation of
polarization
Beam splitter
lens
PBS
(polarizing beam splitter)
mirror
Laser diode
Half
wave-plate
Photo-detector
2種類の記録方式
• 光強度変調(LIM):現行のMOディスク
– 電気信号で光を変調
– 磁界は一定
– ビット形状は長円形
• 磁界変調(MFM):現行MD, iD-Photo
– 電気信号で磁界を変調
– 光強度は一定
– ビット形状は矢羽形
記録ビットの形状
(a)
(b)
交換結合膜
Hext
1st layer
1st layer
AF
2nd layer
Wall
2nd layer
(a)A-type
(b)A-type
Hext
1st layer
1st layer
F
Domain wall
2nd layer
(a)P-type
Wall
2nd layer
P-type
LIMDOW (オーバライト)
Laser beam PL
PL
Laser beam PH
Bias
field
(↓)
PH
超高密度光ディスクへの展開
1. 超解像
1. MSR/MAMMOS
2. Super-RENS (Sb)
2. 短波長化
3. 近接場
1. SIL
2. Super-RENS (AgOx)
MSR(磁気誘起超解像)
• 解像度は光の回折限界から決まる
– d=0.6λ/NA (ここにNA=n sinα)
– 波長以下のビットは分解しない
• 記録層と再生層を分離
α
d
• 読み出し時のレーザの強度分布を利用
– ある温度を超えた部分のみを再生層に転写する
MSR方式の図解
MSRの分類
• 高温部が光スポットのやや後方に偏ることを利用
– FAD (front aperture detection) 読み出し層の記録マー
クの後ろの部分をマスクして、開口を小さくする。
– RAD (rear aperture detection) 読み出し層を磁界によっ
て消去しておき、高温部で記録層から転写する。
• CAD (center aperture detection) 記録層の上に面内磁気
異方性をもつ読み出し膜を重ねておき、レーザ光で加熱
すると中心部のみの異方性が変化し、交換結合により記
録層から読み出し層に転写
ASMO Technologies
LD wavelength
NA
Disk diameter
Thickness
Track pitch
Recording method
Modulation
Signal processing
Velocity control
Code
650 nm
0.6
120 mm
0.6 mm
0.6 μm Land/Groove
MO & CAD-MSR
Laser pumped MFM
PRML
bit density 0.235μm) PR(1,1) or PR(1,2,1)
ZCAV/ZCLV
NRZI+ (DC supressed)
MAMMOS
(magnetic amplification MO system)
DWDD(磁壁移動検出)
• 読み込みの時だけ、磁壁が移動して記録マークを拡大
• 室温状態では、「記録層」の記録マークは、中間の「スイッチング
層」を介し、「移動層」に交換結合力で転写されています。再生光
スポットをディスクの記録トラックに照射することにより昇温し、中
間の「スイッチング層」のキュリー温度以上の領域では磁化が消
滅し、各層間に働いていた交換結合力が解消。移動層に転写され
ていたマークを保持しておく力の一つである交換結合力が解消さ
れることで、記録マークを形成する磁区の周りの磁壁が、磁壁の
エネルギーが小さくなる高い温度領域に移動し、小さな記録マー
クが拡大される・・・それが、DWDDの大まかな原理です。
• まるでゴムで引っぱられるように、移動層に転写されている磁区の
端(磁壁)が移動。磁壁移動検出方式という名称は、ここから発想
されました。読み出しの時だけ、記録メディアの方が、記録層に記
録された微小な記録マークを虫眼鏡で拡大するかのようにふるま
うので、レーザービームスポット径より高密度に記録されていても
読み取ることが可能になるわけです。
キャノンのHPより
DWDD概念図
原理的には再生上の分解能の限界がない。
移動層
スイッチング層
記録層
光磁気記録をもたらしたもの
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長期にわたる研究の積み重ね
アモルファス希土類遷移金属膜の発見
半導体レーザの進歩・短波長化・低価格化
光エレクトロニクス技術(例えばサーボ技術)
信号処理技術の進歩(例えばMDの圧縮技術)
パソコンの大容量化による市場のニーズ
厳しい競争(HDD, ZIP, CD-R, CDRW, DVD-RW)
Super-RENS
super-resolution near-field system
• Sb膜:光吸収飽和
– 波長より小さな窓を開ける
• AgOx膜:分解・Ag析出
– 散乱体→近接場
– Agプラズモン→光増強
– 可逆性あり。
• 相変化媒体だけでなく光
磁気にも適用可能
高温スポット
近接場散乱
短波長化
• DVD-ROM:405nmのレーザを用い、track pitch =0.26m、
mark length=0.213mのdisk(容量25GB)を NA=0.85のレンズを
用いて再生することに成功 [i]。
[i] M. Katsumura, et al.: Digest ISOM2000, Sept. 5-9, 2000, Chitose, p. 18.
• DVD-RW:405nmのレーザを用い、 track pitch=0.34m、
mark length=0.29m、層間間隔35mの2層ディスク(容量
27GB)のNA=0.65のレンズで記録再生を行い、33Mbpsの転
送レートを達成[ii] 。
[ii] T. Akiyama, M. Uno, H. Kitaura, K. Narumi, K. Nishiuchi and N. Yamada:
Digest ISOM2000, Sept. 5-9, 2000, Chitose, p. 116.
青紫レーザとSILによる記録再生
SILヘッド
青紫色レー
ザ
NA=1.5
405nm
80nm mark
40GB
I. Ichimura et. al.
(Sony),
ISOM2000
FrM01
SIL (solid immersion lens)
SILを用いた光記録
熱磁気記録/磁束検出法
Magnetic coil for recording
GMR element for reading
LD, PD
Slider
MO recording film
Arm
助田による
光アシストハードディスク
青紫色
レーザ
記録用
光ヘッド
(SIL)
再生用
磁気ヘッド
60Gbit/in2を達成
TbFeCo
disk
H. Saga et al. Digest
MORIS/APDSC2000,
TuE-05, p.92.
ハイブリッドヘッド (記録・再生の最適な組合せ)
アクチュエータ
高効率記録 / 高S/N再生の各ブレークス
ルー技術の両立により、テラビット記録を実
用化
近接場光記録ヘッド
プレーナ・プラズモンヘッド(記録)
--近接場光
高効率
+
LD
媒体
サスペンション
ヘッド
近接場光再生ヘッド
偏光制御ヘッドシステム(再生)
導波路
++++
スポット径 <20nm
効率 >10%
高分解能
高生産性
微小開口
(~20nm径)
高C/N比
小型薄型化
革新的技術をめざして(1)
• 体積ホログラフィ
–
–
–
–
干渉を利用して光の位相情報を記録
位置のシフトにより、異なる情報を体積的に記録
フォトリフラクティブ結晶、フォトポリマーの開発
空間光変調器(SLM)の進歩:
• ディジタルマイクロミラー(DMD)など
– 高感度光検出器アレーの出現:
• CMOS型アクティブピクセルデテクタ(APD)
革新的技術をめざして(2)
• ホールバーニングメモリ
– 波長多重記録
– 不均一吸収帯内の特定波長の吸収を消滅して記録
– 無機物:
• アルカリハライドの色中心の電子励起とトラッピング
• 絶縁物中の希土類イオンや遷移金属イオンの電子励起吸収帯
• Eu+3: Y2SiO5 を用いてホールバーニングによるホログラフィッ
ク動画記録に成功している[i]。
[i]光永正治,上杉
直,佐々木 浩子,唐木 幸一 :応用物理, 64 (1995) 250.
– 有機物:
• 光互変異性、水素結合の光最配位、光イオン化などの光吸収帯
– 低温が必要
• 常温で動作する材料開発が課題
光通信と磁気光学
光通信における
磁気光学デバイスの位置づけ
• 戻り光は、LDの発振を不安定にしノイズ発生の
原因になる→アイソレータで戻り光を阻止。
• WDMの光アドドロップ多重(OADM)において
ファイバグレーティングと光サーキュレータを用
いて特定波長を選択
• EDFAの前後にアイソレータを配置して動作を安
定化。ポンプ用レーザについても戻り光を阻止
• 光アッテネータ、光スイッチ
半導体レーザモジュール用アイソレータ
Optical isolator
for LD module
Optical fiber
Signal source
Laser diode
module
光アドドロップとサーキュレータ
光ファイバ増幅器と
アイソレータ
偏光依存アイソレータ
偏光無依存アイソレータ
Faraday rotator F
½ waveplate C
Birefringent plate B1
Birefringent plate B2
Fiber 1
Fiber 2
Forward direction
B1
F
C
B2
Fiber 1
Fiber 2
Reverse direction
磁気光学サーキュレータ
Faraday rotator
Prism polarizer A
Reflection prism
Half wave plate
Port 1
Port 3
Port 2
Port 4
Prism polarizer B
アイソレータの今後の展開
導波路形アイソレータ
• 小型・軽量・低コスト化
• 半導体レーザとの一体化
• サイズ:波長と同程度→薄膜/空気界面、
あるいは、薄膜/基板界面の境界条件重要
• タイプ:
– 磁気光学材料導波路形:材料の高品質化重要
– リブ形
– 分岐導波路形
導波路形アイソレータ
• 腰塚による
マッハツェンダー形アイソレーター
リブ形アイソレータ
磁性ガーネット
• 磁性ガーネット:
– YIG(Y3Fe5O12)をベースとす
る鉄酸化物;Y→希土類、Bi
に置換して物性制御
• 3つのカチオンサイト:
– 希土類:12面体位置を占有
– 鉄Fe3+:4面体位置と8面体
位置、反強磁性結合
– フェリ磁性体
ガーネットの結晶構造
YIGの光吸収スペクトル
• 電荷移動型(CT)遷移
(強い光吸収)2.5eV
• 配位子場遷移
(弱い光吸収)
– 4面体配位:2.03eV
– 8面体配位:
1.77eV,1.37eV,1.26eV
磁性ガーネットの3d52p6電子状態
J z=
J z=
J=7/2
6P (6T , 6T )
2
1g
5/2
-
-3/2
3/2
7/2
-7/2
J=5/2
-3/2
3/2
-3/2
3/2
-3/2
J=3/2
P+
P+
P-
P-
6S (6A , 6A )
1
1g
without
perturbation
spin-orbit
interaction
5/2
tetrahedral
crystal field
(Td)
-5/2
octahedral
crystal field
(Oh)
品川による
x104
• 電荷移動型遷移を多電
子系として扱い計算。
0.8
(a)
experiment
+2
0
0.4
-2
(b)
calculation
0
0.4
-
300
400
500
600
wavelength (nm)
Faraday rotation (deg/cm)
YIGの磁気光学スペクトル
Bi置換磁性ガーネット
• Bi:12面体位置を置換
• ファラデー回転係数:Bi
置換量に比例して増加。
• Biのもつ大きなスピン軌
道相互作用が原因。
• Bi置換によって吸収は
増加しないので結果的
に性能指数が向上
Bi置換YIGの磁気光学スペクトル
実験結果と計算結果
• スペクトルの計算
– 3d=300cm-1,
– 2p=50cm-1 for YIG
– 2p=2000cm-1 for Bi0.3Y2.7IG
K.Shinagawa:Magneto-Optics, eds. Sugano, Kojima,
Springer, 1999, Chap.5, 137
II-VI系希薄磁性半導体の結晶構造と
組成存在領域
Material
Crystal
structur
e
Range of
Composition
Material
Crystal
structure
Zn1-xMnxS
ZB
WZ
0<x<0.10
0.10<x0.45
Cd1-xMnxSe
WZ
0<x0.50
Zn1-xMnxSe
ZB
WZ
0<x0.30
0.30<x0.57
Cd1-xMnxTe
ZB
0<x0.77
Hg1-xMnxS
ZB
0<x0.37
Hg1-xMnxSe
ZB
0<x0.38
Hg1-xMnxTe
ZB
0<x0.75
Zn1-xMnxTe
Cd1-xMnxS
ZB
WZ
Range of
Composition
0<x0.86
0<x0.45
II-VI DMS の格子パラメータ
XRD
J. K. Furdyna et al., J. Solid State
Chem. 46, (1983) 349
EXAFS
B. A. Bunker et al., Diluted Magnetic
(Semimagnetic) Semiconductors,
(MRS., Pittsburg, 1987) vol.89, p. 231
Cd1-xMnxTeにおける
バンドギャップ のMn濃度依存性
Cd1-xMnxTeのバルク成長
• ブリッジマン法
–
–
–
–
–
出発原料: Cd, Mn, Te元素
石英管に真空封入
4 mm/hの速度でるつぼを降下させる。
融点: 1100°C
WZ (高温相) → ZB (低温相) 相転位(温度低下)
• 過剰融液組成→相晶を防ぐ効果
CdMnTeの磁気光学スペクトル
• II-VI族希薄磁性半導
体:Eg(バンドギャップ)が
Mn濃度とともに高エネ
ルギー側にシフト
• 磁気ポーラロン効果(伝
導電子スピンと局在磁
気モーメントがsd相互作
用→巨大g値:バンド
ギャップにおける磁気光
学効果
小柳らによる
Furdynaによる
半導体とアイソレータの一体化
• 貼り合わせ法
– 半導体上に直接磁性ガーネット膜作製→格子不整合の
ため困難
– ガーネット膜を作っておき、半導体基板に貼り合わせ
る方法が提案されている
• 希薄磁性半導体の利用
–
–
–
–
DMSの結晶構造:GaAsと同じ閃亜鉛鉱型→
半導体レーザとの一体化の可能性。
導波路用途の面内光透過の良質の薄膜作製困難。
安藤ら:GaAs基板上にMBE法でCdMnTeの薄膜を作製。
バッファ層:ZnTe, CdTe層
ダウンロード

第9回授業のOHP(パワーポイント)