電荷注入を用いた分解能向上とキャリ
ブレーションデータ取得のお願い
2006/6/12
中嶋、鶴、松本、小山 + XISチーム
55Feの履歴
現在分解能 = 190 〜 200eV @ 5.9keV
コラムの個性による。現在のCCD全面に対する一様なCTI補正
では、これを良くする事は原理的に不可能。
Mn-K (pn)
Mn-K (MOS)
Al (pn)
Al (MOS)
2002/11にMOSの温度を
-100C → -120Cに変更
EPIC-MOSは、現在145eV
Kirsch et al. SPIE 2005
電荷注入機能を用いて、コラム毎のCTIを求める
2006/1および2006/5の結果
•分解能:193eV → 179eV
•コラム毎の個性でレスポンスが
•CTI∝ (電荷量) ^ -0.5。
•低エネルギー側ほど影響が大きい
変化。これを補正できる。
(6keVは大したことはない)
CIデータ取得に関する運用提案
• 1回のデータ取得 = 1.2ksec で2センサー
のデータがとれる(3x3モード、150イベン
ト/コラム)。
• CTIにはエネルギー依存性があるので、低、
中、高エネルギーの3点必要
• それぞれ、2ヶ月に1点データを取りたい
• → 3.6ksec/月
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電荷注入を用いた分解能向上とキャリブレーションデータ取得のお願い