ICN+イオンのA2S+X2Pi電子遷移の
高分解能フーリエ変換発光分光
量子化学 宮本 裕
Introduction
 ラジカルカチオン
正電荷+不対電子→高い反応性
反応中間体
 ICN+イオン
直線型ラジカルカチオン
A2S+X2Pi電子遷移
幾何構造
回転構造の解析
ポテンシャル曲面
Background
 J. Fulara et al.
ICN+イオンの
低分解能発光スペクトル
A2S+X2P電子遷移
を測定
2
2
B P3/2X P3/2電子遷移
{
目的
A2S+X2P電子遷移を
高分解能で測定
↓
分子構造の決定
振電相互作用の解明
ペニングイオン化反応
Heの準安定状態による
イオン化
1eV = 96. 5 kJ/mol
M + He*(23S) 
(M+)* + He(11S) + e-
(M+)* M+ + hn
利点
副生成物ができにくい
発光が安定している
Electronic energy level of He
実験装置
ICN+の発光
観測されたスペクトル
A2S+X2P3/2
☆ (000)-(000)
(000)-(010)
(010)-(000)
(000)-(110)
A2S+(000)X2P3/2(000)電子遷移
Calc.
Obs.
P12
Q12+P2
Q2+R12
R2
A2S+(000)X2P3/2(000)電子遷移
Calc.
Obs.
分子定数 [cm-1]
state
constant
ICN+
A2S+
n
18261.1293(10)
B
0.106860(11)
107D
0.233(11)
g-0.0420149(29) 3%減少
X2P3/2
B
107D
D ≈ 4B3/w32
w3 : IC str.
0.109885(11)
0.147(11)
D(X) = 0.185×10-7
w3 = 535[cm-1]
まとめ
結果:
ペニングイオン化反応によりICN+イオンを生成し、
A2S+X2P3/2電子遷移の振電バンドを数多く観測した。
A2S+(000)及びX2P3/2 (000)状態の分子定数を決定した。
今後の予定:
A2S+(000)m2S (010)電子遷移の解析
A2S+X2P1/2電子遷移の測定
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