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ワイドギャップ半導体素子の破壊防止技術 [ PDF：928KB ]
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
Page 1 Page 2 おか もと やす ひろ 学位(専攻分野) 博 士 (工 学) 学 位
受賞者紹介 - 応用物理学会
Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発
GaN HEMTのオン状態ゲート電流の低減（PDF：50.5KB）
26 GHz帯で世界最高＊の信号増幅率を達成
第4回技術セミナー 半導体ネットおかやま2012年第4回
パワーエレクトロニクスの研究開発についての提案 資料2－8
次世代パワーエレクトロニクス 研究開発計画
低転位GaN 基板上縦型トランジスタの開発
修士論文 - 徳島大学 大野泰夫研究室
薄層AlGaN構造を用いた電源用GaNパワーデバイスの開発
V - 名古屋大学
