Ashing System
~Barrel Type~
Plasma System Division
Y.A.C. Co., Ltd
YIEL D OF AUT OMAT IC CONT ROL ES
Line up
• DES-220-459AVL(Ultima)
φ8 inch 専用機
生産性を重視しWafer自動搬送機付き
• DES-212-304AVLⅢ(304AV)
φ6 inch 以下用装置
生産性を重視しWafer自動搬送機付き(AVLⅢ)
• PACKⅠ・Ⅱ・Ⅲ・Ⅳ
1 チャンバーのシンプルな構成
minimum footprint, 低コストバージョン
Plasma System Division
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電極形状
対向電極方式
同軸電極方式
ガス導入
ガス導入
Wafer
Wafer
給電電極
ウェーハボート
給電電極
Q'zチャンバー
Q'zチャンバー
GND電極
GND電極
ウェーハボート
To pump
アッシングレート
チャージアップ
Plasma System Division
To pump
電極形状
対向電極方式 > 同軸電極方式
対向電極方式 > 同軸電極方式
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DES-220-459AVL
ULTIMAⅢ
処理基板サイズφ8 inch
100枚/2Chamber 処理
Wafer loader / unloader 搭載
同軸電極方式
アッシングレート: 350 [Å/min] 以上
均一性(面内): ±20 [%]
均一性(バッチ内): ±10 [%]
Plasma System Division
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DES-220-459AVL
ULTIMAⅢ
チャンバー予備寸法
ウェーハ処理枚数
カセットステーション
電極構成
プロセスレシピ
ステップ
装置寸法
装置重量
Plasma System Division
φ450×900L [mm]
50枚(+2:dumy)/チャンバー
3 Stations
同軸型
20 レシピ
3 Staps
1600W×2150D×2100H [mm]
1300 [kg]
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DES-212-304AVLⅢ
DES-212-304AV
φ5 or 6 inch Wafer 処理装置
Wafer Loader / Unloader 搭載(AVLⅢのみ)
1バッチ50枚処理/チャンバー
2チャンバー構成
フットプリント
1290W×1470D×1980H [mm] (AVLⅢ)
1000W×900D×1730H [mm] (AV)
※写真はAVLⅢ
Plasma System Division
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DES-212-304AVLⅢ
DES-212-304AV
~Ashing Rate & Uniformity~
処理基板サイズ:φ5 or 6 inch
電極構成:同軸電極方式
or 対向電極方式
電極形状
対向電極方式
同軸電極方式
ウェーハサイズ φ5 inch φ6 inch φ5 inch φ6 inch
アッシングレート
400
350
350
300
面内均一性
25
30
20
20
バッチ内均一性
20
20
15
15
Plasma System Division
単位
[Å/min]
%
%
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PACK Series
1チャンバー構成
低Coo
minimum footprint
PACK Ⅰ
PACK Ⅱ
PACK Ⅲ
PACK Ⅳ
チャンバーサイズ
φ250×400L
φ300×400L
発振器パワー
500 [W]
1000 [W]
放電方式
対向電極方式 同軸電極方式 対向電極方式 同軸電極方式
外形寸法
805W×905D×1400H [mm]
850W×905D×1465H [mm]
※ 外形寸法は台を含む
Plasma System Division
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Ashing Rate
~φ8inches Wafer Normal Resist Data~
Ashing Rate
Unif.(W.f. to W.f.)
Unif.(Within W.f.)
500
Ashing Rate
Unif.(W.f. to W.f.)
100
Unif.(Within W.f.)
500
100
300
60
200
40
100
20
400
80
350
300
60
250
200
40
150
100
Uniformity [%]
80
Ashing Rate [Å/min]
400
Uniformity [%]
Ashing Rate [Å/min]
450
20
50
0
200
400
600
800
1000
0
1200
Pressure [mTorr]
ガス圧力依存性
Plasma System Division
0
0
500
1000
1500 2000
0
2500
Gas Flow Rate [SCCM]
ガス流量依存性
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Ashing Rate
~φ6inches Wafer Normal Resist Data~
100
400
80
300
60
200
40
100
20
0
0
500
1000
0
1500
Pressure [mTorr]
ガス圧力依存性
Plasma System Division
Ashing Rate [Å/min]
500
Ashing Rate
Ashing Rate
Unif.
Unif.
500
100
400
80
300
60
200
40
100
20
0
0
200
400
600
0
800 1000
Uniformity (Within Wafer)
[%]
対向電極
同軸電極
対向電極
同軸電極
Ashing Rate
Ashing Rate
Unif.
Unif.
Uniformity (Within Wafer)
[%]
Ashing Rate [Å/min]
対向電極
同軸電極
対向電極
同軸電極
Gas Flow Rate [SCCM]
ガス流量依存性
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