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AN-0904: Direct Paralleling of SCALE
シリコンパワーデバイスの発展と新材料デバイスの展開（連載1）
3レベル双方向スイッチ方式インバータ用 IGBTモジュールと
CT，MRIベース腔内照射
ミクロの界面が作るマクロな電気的性質
第2号（PDF形式、54kバイト）
次世代省エネ用 シリコン・パワー半導体
