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カルコゲナイド系層状物質高品質薄膜のMBE成長 NTT物性科学基礎
新しい事業の成功を志す人のための ベンチャー経営心得帳 はじめに 私
放射光 X 線パルスを用いた GaAs ピコ秒格子歪の時間分解測定
H24年度 (PDF:1599KB)
量 暗号の実 化をになう半導体量 ナノ構造の作製
光る薄膜 発光ダイオード（LED）
時間分割フーリエ変換法を用いることで明らかとなった アンドープ GaAs/n
世界最小量子ドットレーザの室温動作に成功
ナノ構造の新規半導体デバイスの開発
Ku帯100W出力GaN HEMT増幅器
中間バンド型太陽電池における光電流の増大効果を世界で
アブストラクトpdf
ブラウンノイズを10分の1に低減する結晶コーティングT
異種材料を組み合わせた多接合太陽電池
講義配付資料1
InGaPを用いたタンデム型太陽電池に関する研究
MOCVD（OM−VPE）を用いた化合物半導体の研究 − 難波 進さん等を
MBE成長GaAs表面の平坦化とそのAFM観察
次世代高効率太陽電池用 半導体混晶の作製技術
卒業論文要旨 AlGaAs犠牲層エッチングによるGaAs/Air多層膜共振器
半導体超格子におけるミニバンド構造とワニエ・シュタルク局在 D kz / 0
Document
半導体表面吸着構造の軟X線定在波解析（若手奨励賞受賞）・・・杉山宗弘
