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プロジェクトの概要説明 - 新エネルギー・産業技術総合開発機構
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事業原簿
電子デバイス地球温暖化対策特別委員会資料
Title 半導体デバイス製造プロセスにおける絶縁膜のプラズマ エッチング
低地球温暖化係数ガスによるSiO2、SiNのエッチング
vol.77 [ 2012.April ]
プロジェクトの詳細説明 - 新エネルギー・産業技術総合開発機構
「SF6 等に代替するガスを利用した電子デバイス製造 クリーニング
![vol.77 [ 2012.April ]](http://s1.slideshowjp.com/store/data/000126039_1-61dbc5d361a7c88ba7647382def31c68-260x520.png)
