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化合物半導体薄膜の極微細両面加工 によるSi 基板上 THzトランジスタ
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米ビシェイ社製品の販売開始し品揃えを拡充
Hybrid HVDC（High Voltage Direct Current) ハイブリッド直流高電圧
大切な蒸気の熱量をドレンクーラーで海水に捨てていませんか？
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実験室① MOSFETの ゲート抵抗の最適値
ナノスケールMOSFET の電流の概算式（4）
パワーデバイスの総合評価サービス（PDFファイル 302KB）
北方型住宅向け直流給配電 システム要素技術の研究開発
MOS 電界効果トランジスタのデバイスシミュレーション
4端子駆動型ダブルゲートMOSFETの開発に成功
90nm n-channel MOSFET の Hot Electron Stress による
Electronics for Particle Measurement
R-14-RS-01 - 日本電子部品信頼性センター
大型のパッシブ・コンポーネントと置き換えて MIL
E級スイッチング回路の数値計算法 Numerical calculation method for
カタログ等資料中の旧社名の扱いについて - Renesas Electronics
STK672-210-E - ON Semiconductor
