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13.3 Si プロセス・配線 - 早稲田大学ナノ理工学研究機構
低温高品質アルミナ成膜装置
日本磁気科学会・磁場発生分科会 「強磁場発生の新しい潮流」
High-kゲート絶縁膜の誘電率を向上させる手法 [ PDF:920KB ]