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4H-SiC(0001)Si 微小オフ基板上の液相エピタキシャル膜における転位
Technical-News 4H-SiC の HR-TEM 観察
山口博隆、松畑洋文 産業技術総合研究所
ワイドギャップ半導体，薄膜，SiC，ZnO，分析電子顕微鏡
電気的特性によるMo, Pt/4H-SiC（0001）接触界面に関する研究
第 2回講演会 - 応用物理学会
