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低転位GaN 基板上縦型トランジスタの開発

次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案

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Page 1 Page 2 おか もと やす ひろ 学位(専攻分野) 博 士 (工 学) 学 位

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GaN HEMTのオン状態ゲート電流の低減（PDF：50.5KB）

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Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発

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26 GHz帯で世界最高＊の信号増幅率を達成

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ワイドギャップ半導体素子の破壊防止技術 [ PDF：928KB ]

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