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シミュレーションによる SiC トレンチ型 MOSFET の特 性予測
計測技術（光学，中性子）／ エレクトロニクス応用技術
長年続いてきたSiパワーデバイスの牙城の一角をWBG（ワイド・バンド
掲載内容はここを クリックしてください
特性表
SiC搭載インバータ 主電動機による振動制御の実験検証
バルス通電焼結による助剤を用いないSic の緻密化
SiC パワー半導体向け高耐熱封止材を開発
燃料集合体カバー材の試作に成功
ワイドギャップ半導体，薄膜，SiC，ZnO，分析電子顕微鏡
氏名 中川 豪 （Nakagawa Gou） 所属・職名 基盤技術部 電子
