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受賞者紹介 - 応用物理学会
Page 1 Page 2 おか もと やす ひろ 学位(専攻分野) 博 士 (工 学) 学 位
日本の科学研究の未来のために－ノーベル物理学賞受賞を
パワー半導体分野で、いまナガセがご提案していること
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
26 GHz帯で世界最高＊の信号増幅率を達成
GaN HEMTのオン状態ゲート電流の低減（PDF：50.5KB）
2014 年ノーベル賞 授賞式に参加して
ワイドギャップ半導体素子の破壊防止技術 [ PDF：928KB ]
未来のあるべき社会・ライススタイルを創造する技術イノベーション事業
第1節 GaN（窒化ガルウム）系パワー・デバイスの技術動向と応用
![ワイドギャップ半導体素子の破壊防止技術 [ PDF：928KB ]](http://s1.slideshowjp.com/store/data/000567964_1-5b3adcc80aa82b10c9c1da997a5b89ca-260x520.png)
