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低コスト実装可能な高耐湿InP HEMT MMICを開発
Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発
シリコン単電子インバータ ー単電子デバイスによるコンピュータの
極薄 InP 層を有するダブルリセス構造の適用による ゲート長 0.1
吉田機械興業 株式会社 - MIESC 公益財団法人三重県産業支援センター
博士論文審査報告書 - 早稲田大学リポジトリ(DSpace@Waseda
GaN系HEMT fT>100GHzを実現
クオドラント・プラスチック・コンポジット・ジャパン (略称:QPCジャパ
一様な薄い三角板の重心
iNPニードル
博士(工 学) 高 橋 浩
こちら。 - システック環境研究所
40Gbps導波路型フォトダイオード(PDF:22.0KB)
ミリ波半導体デバイス研究計画
Pt/InP ショットキー型水素センサーのセンシングメカニズム
平成22年度共同利用研究成果発表研究会で発表した原稿
インジウムを用いた太陽ニュートリノ半導体検出器の開発 I
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100 Gbit/s 小型コヒーレントレシーバ向けInP 系90˚ハイブリッド集積型
三村高志 - 武田計測先端知財団
斜入射 X 線回折法による気相中半導体表面の解析
『Encore』2010年1月号
X帯25 W級小型電力増幅モジュール