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Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発
低コスト実装可能な高耐湿InP HEMT MMICを開発
日本の科学研究の未来のために－ノーベル物理学賞受賞を
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
GaN系HEMT fT＞100GHzを実現
第1節 GaN（窒化ガルウム）系パワー・デバイスの技術動向と応用
電子デバイス用大口径窒化ガリウム材料の開発（PDF:420KB）
研究代表者：酒井 士郎（徳島大学・工学部・教授）
テラヘルツ波の利用による超高速・低消費電力無線技術及び高効率
学校間交流だより 第11号（PDF:365 KB）
博士論文要旨 論文題名：プロセスイノベーションによる科学 - R-Cube
ボールねじの検査技術の開発
GaN HEMTのオン状態ゲート電流の低減（PDF：50.5KB）
ワイドギャップ半導体素子の破壊防止技術 [ PDF：928KB ]
第4回技術セミナー 半導体ネットおかやま2012年第4回
【技術資料】 有機・無機複合材料の断面作製（クライオ断面イオンミリング）
ブース番 号 39 分 野 災害対応 問 合 せ 先 所属 ・ 氏名 環境学研究科
ウェーハ張り合わせにより製作した 波面補正用デフォーマブルミラー
ミリ波による高速通信の拡大を牽引する Si基板上の窒化物半導体
バッファロー大学らの研究によって 安価なソーラーパネルが実現可能に
超ハイブリッド材料開発
平成 21 年 10 月 14 日 報道機関 各位 東北大学多元物質科学研究所
4.7 kV 耐圧を有する自立 GaN 基板上 p-n 接合ダイオード
![ワイドギャップ半導体素子の破壊防止技術 [ PDF：928KB ]](http://s1.slideshowjp.com/store/data/000567964_1-5b3adcc80aa82b10c9c1da997a5b89ca-260x520.png)
