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Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発
低コスト実装可能な高耐湿InP HEMT MMICを開発
日本の科学研究の未来のために－ノーベル物理学賞受賞を
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
GaN系HEMT fT＞100GHzを実現
第1節 GaN（窒化ガルウム）系パワー・デバイスの技術動向と応用
電子デバイス用大口径窒化ガリウム材料の開発（PDF:420KB）
研究代表者：酒井 士郎（徳島大学・工学部・教授）
テラヘルツ波の利用による超高速・低消費電力無線技術及び高効率
学校間交流だより 第11号（PDF:365 KB）
博士論文要旨 論文題名：プロセスイノベーションによる科学 - R-Cube
ボールねじの検査技術の開発
GaN HEMTのオン状態ゲート電流の低減（PDF：50.5KB）
