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MOCVD（OM−VPE）を用いた化合物半導体の研究 − 難波 進さん等を
デバイスの作製と評価について
製造中止に関するお知らせ
世界最小量子ドットレーザの室温動作に成功
量 暗号の実 化をになう半導体量 ナノ構造の作製
カルコゲナイド系層状物質高品質薄膜のMBE成長 NTT物性科学基礎
光る薄膜 発光ダイオード（LED）
時間分割フーリエ変換法を用いることで明らかとなった アンドープ GaAs/n
