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La - 岩井・角嶋研究室
ATR-FTIR法を用いたSiC基板上La 2 O 3 とSiNとの
Tokyo Institute of Technology
2 - 岩井・角嶋研究室
Ⅰ-9：TOF-SIMSを用いた 半導体の深さ方向分析
ATR-FTIR法を用いたSiC基板上La O と SiNとの
