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SiC パワー半導体向け高耐熱封止材を開発
計測技術（光学，中性子）／ エレクトロニクス応用技術
長年続いてきたSiパワーデバイスの牙城の一角をWBG（ワイド・バンド
掲載内容はここを クリックしてください
特性表
SiC搭載インバータ 主電動機による振動制御の実験検証
バルス通電焼結による助剤を用いないSic の緻密化
燃料集合体カバー材の試作に成功
ワイドギャップ半導体，薄膜，SiC，ZnO，分析電子顕微鏡
氏名 中川 豪 （Nakagawa Gou） 所属・職名 基盤技術部 電子
粗粒砥石を用いた正面研削によるセラミックスの鏡面加工
1） 『日本セラミックス協会 関西支部 第11回若手フォーラム』の紹介
究極のパワー半導体ダイヤモンドの研究開発！！
エネルギー・環境技術の革新により, 安全・安心で持続可能な
1月号 - さがみはら産業創造センター
昇華特性に優れたSiC粉末原料を開発 [ PDF：742KB ]
2013.04.19 地域版24号
1.7kV大容量ハイブリッドSiCモジュール（PDF：42.7KB）
X線トポグラフィによる半導体材料 SiC の結晶欠陥評価
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革新的輻射熱反射技術の開発
かわらばん入居企業版-5月号 - さがみはら産業創造センター
2010.02.26 入居版69号
![昇華特性に優れたSiC粉末原料を開発 [ PDF：742KB ]](http://s1.slideshowjp.com/store/data/001307907_1-9ba77ba0be1b54199da10295a759b376-260x520.png)
