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長年続いてきたSiパワーデバイスの牙城の一角をWBG（ワイド・バンド
「パワーデバイスにおける封止技術」
計測技術（光学，中性子）／ エレクトロニクス応用技術
大平牧場―乾徳山―徳和
掲載内容はここを クリックしてください
特性表
SiC搭載インバータ 主電動機による振動制御の実験検証
バルス通電焼結による助剤を用いないSic の緻密化
SiC パワー半導体向け高耐熱封止材を開発
燃料集合体カバー材の試作に成功
ワイドギャップ半導体，薄膜，SiC，ZnO，分析電子顕微鏡
粗粒砥石を用いた正面研削によるセラミックスの鏡面加工
エネルギー・環境技術の革新により, 安全・安心で持続可能な
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PDFセラミックス誌2006年12月号掲載記事
PDF（457KB） - 東京エレクトロン株式会社
D1-0693 - KIT 学術成果コレクション
技術論文 - 三菱電機
強いコンポーネントをコアにした 顧客価値を創出する
“酸化ガリウム（Ga2O3）MOS トランジスタ”を世界で初めて実現！
SiCパワー半導体の研究・技術動向
低騒音タイル用素地の開発（PDF: 389.3 KB）
シミュレーションによる SiC トレンチ型 MOSFET の特 性予測
