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MRAM動作原理 エバースピン・テクノロジーズ社 MRAMの特徴 www
非磁性相変化固体メモリーから巨大磁気抵抗効果 [ PDF：988KB ]
ノーマリーオフ コンピューティングで PCに革命が起きる
“レアメタルを用いない酸化アルミニウム系メモリの集積化プロセスの開発
予稿（wakate4）
1−5−6 MRAM／書き込み技術
垂直磁化方式のMTJ記憶素子を用いた スピン注入書込みMRAM
特許私考21
電気電子材料-清水先生 (ppt)
資料5-1 - 新エネルギー・産業技術総合開発機構
![非磁性相変化固体メモリーから巨大磁気抵抗効果 [ PDF：988KB ]](http://s1.slideshowjp.com/store/data/000762626_1-71ee0cf856ebf7e6b1d4cc2fcaf10a0e-260x520.png)
