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予稿（wakate4）
MRAM動作原理 エバースピン・テクノロジーズ社 MRAMの特徴 www
【実験番号:UE1050201】（PDF）
スピン流を用いた新機能デバイス 実現に向けた技術開発
重力加速度可変振り子 重力加速度可変振り子
特許私考21
1−5−6 MRAM／書き込み技術
垂直磁化方式のMTJ記憶素子を用いた スピン注入書込みMRAM
垂直磁化容易CoFeB-MgO構造を用いた 磁気トンネル接合の高性能化
垂直磁気異方性を有する強磁性細線における 電流誘起
