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特許私考21
非磁性相変化固体メモリーから巨大磁気抵抗効果 [ PDF：988KB ]
ノーマリーオフ コンピューティングで PCに革命が起きる
MRAM動作原理 エバースピン・テクノロジーズ社 MRAMの特徴 www
予稿（wakate4）
“レアメタルを用いない酸化アルミニウム系メモリの集積化プロセスの開発
垂直磁化方式のMTJ記憶素子を用いた スピン注入書込みMRAM
1−5−6 MRAM／書き込み技術
物理システム工学科3年次 「物性工学概論」 第9回光エレクトロニクス(2
スピン流を用いた新機能デバイス 実現に向けた技術開発
電気電子材料-清水先生 (ppt)
![非磁性相変化固体メモリーから巨大磁気抵抗効果 [ PDF：988KB ]](http://s1.slideshowjp.com/store/data/000762626_1-71ee0cf856ebf7e6b1d4cc2fcaf10a0e-260x520.png)
