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これからの日本の匠に期待して
研究課題名 究極デバイスとしてのダイヤモンド基板の 革
1205号 - NICT
電子デバイス用大口径窒化ガリウム材料の開発（PDF:420KB）
パワーエレクトロニクスの研究開発についての提案 資料2－8
掲載内容はここを クリックしてください
特性表
Si，サファイア, SiC，GaN の研磨とそのメカニズム The polishing
“酸化ガリウム（Ga2O3）MOS トランジスタ”を世界で初めて実現！
GaN 系薄膜における励起子非弾性散乱過程による発光
高品質GaN系窒化物半導体単結晶の創製とp–n接合青色
