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電子デバイス用大口径窒化ガリウム材料の開発（PDF:420KB）
日本の科学研究の未来のために－ノーベル物理学賞受賞を
ヴィンセント ロビショウ 、 馬島良行 、 本田善央 、 佐野智崇 、 土井友博 、 天野
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
第4回技術セミナー 半導体ネットおかやま2012年第4回
第1節 GaN（窒化ガルウム）系パワー・デバイスの技術動向と応用
テラヘルツ波の利用による超高速・低消費電力無線技術及び高効率
Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発
未来のあるべき社会・ライススタイルを創造する技術イノベーション事業
博士論文要旨 論文題名：プロセスイノベーションによる科学 - R-Cube
1205号 - NICT
これからの日本の匠に期待して
バッファロー大学らの研究によって 安価なソーラーパネルが実現可能に
自立 GaN 基板上 p-n 接合ダイオードの初期耐圧不良解析(2)
室温で青色と緑色を発光する 電気ポンピングGaNベースVCSEL
Si，サファイア, SiC，GaN の研磨とそのメカニズム The polishing
PDF:1.3MB
“酸化ガリウム（Ga2O3）MOS トランジスタ”を世界で初めて実現！
第一原理シミュレーションによる不均一触媒反応過程の研究
赤色発光する希土類添加窒化物半導体における エネルギー輸送機構の
半導体デバイスの利用範囲を大きく広げる世界初の GaN系半導体剥離
ノーベル物理学賞への軌跡
三重・伊勢湾岸エリア （PDF:92KB）
