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“酸化ガリウム(Ga2O3)MOS トランジスタ”を世界で初めて実現!
1205号 - NICT
次世代パワー半導体用接合技術
産業応用フォーラム 「次世代家電・民生用パワーデバイスの主役は何か 」
電子デバイス用大口径窒化ガリウム材料の開発(PDF:420KB)
これからの日本の匠に期待して
第4回技術セミナー 半導体ネットおかやま2012年第4回
計測技術(光学,中性子)/ エレクトロニクス応用技術
パワーエレクトロニクスの研究開発についての提案 資料2-8
長年続いてきたSiパワーデバイスの牙城の一角をWBG(ワイド・バンド
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