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『Encore』2010年1月号
低コスト実装可能な高耐湿InP HEMT MMICを開発
Ku帯100W出力GaN HEMT増幅器
H24年度 (PDF:1599KB)
多層／リブ導波路内の漏洩モード
【別紙】 音声認識・再生IC『S1V50300』の主な仕様 製品型番
事例3 表面酸化を防止し，実装時間短縮や接合 信頼性を向上する鉛
水蒸気発生のための水素ー酸素水中燃焼特性
放射光 X 線パルスを用いた GaAs ピコ秒格子歪の時間分解測定
GaN 系デュアルゲート HEMT による高出力ミキサー
