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GaN 系デュアルゲート HEMT による高出力ミキサー
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
Cat-CVD法により保護膜形成したC帯100W超級GaN
研究代表者：酒井 士郎（徳島大学・工学部・教授）
様式 C-19 科学研究費補助金研究成果報告書
高効率電力増幅用GaNデバイス
1. 研究・開発におけるシミュレータの実際
GaNパワーデバイスの理論的な性能限界 Si, SiCとの比較
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2 - 岩井・角嶋研究室
AlGaN/GaN-HFETにおけるリセスエッチング制御技術
SPS2006-02
X帯25 W級小型電力増幅モジュール
