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GaN 系デュアルゲート HEMT による高出力ミキサー
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
Cat-CVD法により保護膜形成したC帯100W超級GaN
研究代表者：酒井 士郎（徳島大学・工学部・教授）
様式 C-19 科学研究費補助金研究成果報告書
高効率電力増幅用GaNデバイス
1. 研究・開発におけるシミュレータの実際
GaNパワーデバイスの理論的な性能限界 Si, SiCとの比較
要旨を表示する
2 - 岩井・角嶋研究室
AlGaN/GaN-HFETにおけるリセスエッチング制御技術
SPS2006-02
X帯25 W級小型電力増幅モジュール
SPS2008-04
TiSi - 東京工業大学
AlGaN/GaN HEMT パワーデバイス
ミリ波半導体デバイス研究計画
Si 基板上パワーデバイス向け MOCVD 装置の開発
科学研究費助成事業 研究成果報告書
PDFダウンロード（1168KB）
ノーマリオフ型GaN HFETの高性能化
MOCVD による窒化物系電子デバイス構造の大口径 Si
GaN HEMT素子の通信用途に向けた 実用化への取組み
