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GaNパワーデバイスの理論的な性能限界 Si, SiCとの比較
GaN 系デュアルゲート HEMT による高出力ミキサー
電子デバイス用大口径窒化ガリウム材料の開発（PDF:420KB）
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
掲載内容はここを クリックしてください
パワーエレクトロニクスの研究開発についての提案 資料2－8
