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次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
vol.76 [ 2012.January ]
日本の科学研究の未来のために－ノーベル物理学賞受賞を
パワー半導体分野で、いまナガセがご提案していること
Cat-CVD法により保護膜形成したC帯100W超級GaN
第1節 GaN（窒化ガルウム）系パワー・デバイスの技術動向と応用
GaN HEMTのオン状態ゲート電流の低減（PDF：50.5KB）
Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発
電子デバイス用大口径窒化ガリウム材料の開発（PDF:420KB）
研究代表者：酒井 士郎（徳島大学・工学部・教授）
テラヘルツ波の利用による超高速・低消費電力無線技術及び高効率
GaN 系デュアルゲート HEMT による高出力ミキサー
大学人が考える科学・技術イノベーション―ノーベル物理学賞受賞研究
博士論文要旨 論文題名：プロセスイノベーションによる科学 - R-Cube
照明用LEDパッケージ（実装基板）のプラズマ洗浄
ワイドギャップ半導体素子の破壊防止技術 [ PDF：928KB ]
未来のあるべき社会・ライススタイルを創造する技術イノベーション事業
第4回技術セミナー 半導体ネットおかやま2012年第4回
ヴィンセント ロビショウ 、 馬島良行 、 本田善央 、 佐野智崇 、 土井友博 、 天野
受賞者紹介 - 応用物理学会
ミリ波による高速通信の拡大を牽引する Si基板上の窒化物半導体
スライド 1 - Keysight
バッファロー大学らの研究によって 安価なソーラーパネルが実現可能に
![vol.76 [ 2012.January ]](http://s1.slideshowjp.com/store/data/000146378_2-b86c78027a7c622c50eff48fa63210da-260x520.png)
![ワイドギャップ半導体素子の破壊防止技術 [ PDF：928KB ]](http://s1.slideshowjp.com/store/data/000567964_1-5b3adcc80aa82b10c9c1da997a5b89ca-260x520.png)
