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次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
vol.76 [ 2012.January ]
日本の科学研究の未来のために－ノーベル物理学賞受賞を
パワー半導体分野で、いまナガセがご提案していること
Cat-CVD法により保護膜形成したC帯100W超級GaN
第1節 GaN（窒化ガルウム）系パワー・デバイスの技術動向と応用
GaN HEMTのオン状態ゲート電流の低減（PDF：50.5KB）
Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発
電子デバイス用大口径窒化ガリウム材料の開発（PDF:420KB）
研究代表者：酒井 士郎（徳島大学・工学部・教授）
テラヘルツ波の利用による超高速・低消費電力無線技術及び高効率
GaN 系デュアルゲート HEMT による高出力ミキサー
大学人が考える科学・技術イノベーション―ノーベル物理学賞受賞研究
![vol.76 [ 2012.January ]](http://s1.slideshowjp.com/store/data/000146378_2-b86c78027a7c622c50eff48fa63210da-260x520.png)
