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自立 GaN 基板上のイオン注入縦型バイポーラトランジスタ の高性能化
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発
研究代表者：酒井 士郎（徳島大学・工学部・教授）
