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研究代表者：酒井 士郎（徳島大学・工学部・教授）
日本の科学研究の未来のために－ノーベル物理学賞受賞を
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
第1節 GaN（窒化ガルウム）系パワー・デバイスの技術動向と応用
博士論文要旨 論文題名：プロセスイノベーションによる科学 - R-Cube
Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発
第4回技術セミナー 半導体ネットおかやま2012年第4回
ミリ波による高速通信の拡大を牽引する Si基板上の窒化物半導体
GaN 系デュアルゲート HEMT による高出力ミキサー
Si 基板上 GaN-HEMT のコラプス抑制
バッファロー大学らの研究によって 安価なソーラーパネルが実現可能に
超ハイブリッド材料開発
平成 21 年 10 月 14 日 報道機関 各位 東北大学多元物質科学研究所
