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研究代表者：酒井 士郎（徳島大学・工学部・教授）

日本の科学研究の未来のために－ノーベル物理学賞受賞を

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次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案

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第1節 GaN（窒化ガルウム）系パワー・デバイスの技術動向と応用

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博士論文要旨 論文題名：プロセスイノベーションによる科学 - R-Cube

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Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発

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第4回技術セミナー 半導体ネットおかやま2012年第4回

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ミリ波による高速通信の拡大を牽引する Si基板上の窒化物半導体

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GaN 系デュアルゲート HEMT による高出力ミキサー

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Si 基板上 GaN-HEMT のコラプス抑制

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バッファロー大学らの研究によって 安価なソーラーパネルが実現可能に

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超ハイブリッド材料開発

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平成 21 年 10 月 14 日 報道機関 各位 東北大学多元物質科学研究所

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4.7 kV 耐圧を有する自立 GaN 基板上 p-n 接合ダイオード

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SPring-8重点産業化促進課題・一般課題(産業分野) 実施報告書2013A

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自立 GaN 基板上 p-n 接合ダイオードの初期耐圧不良解析(2)

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様式 C-19 科学研究費補助金研究成果報告書 - KAKEN

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テラヘルツ波を用いた半導体の新評価手法を開発

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室温で青色と緑色を発光する 電気ポンピングGaNベースVCSEL

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PDF:1.3MB

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シリコン技術の将来像 IEDM Keynoteより

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Ⅲ族窒化物光触媒材料の開発

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自立 GaN 基板上のイオン注入縦型バイポーラトランジスタ の高性能化

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