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超ハイブリッド材料開発

平成 21 年 10 月 14 日 報道機関 各位 東北大学多元物質科学研究所

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次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案

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Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発

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研究代表者：酒井 士郎（徳島大学・工学部・教授）

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JCII News 第2号（平成24年10月発行）

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後藤純也, ネットワークポリマー, Vol. 30, No. 3, 172

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