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GaNパワー半導体を量産供給
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
Transphorm 社との業務提携内容変更に関するお知らせ
Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発
研究代表者:酒井 士郎(徳島大学・工学部・教授)
テラヘルツ波の利用による超高速・低消費電力無線技術及び高効率