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テラヘルツ波の利用による超高速・低消費電力無線技術及び高効率
日本の科学研究の未来のために－ノーベル物理学賞受賞を
ヴィンセント ロビショウ 、 馬島良行 、 本田善央 、 佐野智崇 、 土井友博 、 天野
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
未来のあるべき社会・ライススタイルを創造する技術イノベーション事業
電子デバイス用大口径窒化ガリウム材料の開発（PDF:420KB）
第1節 GaN（窒化ガルウム）系パワー・デバイスの技術動向と応用
26 GHz帯で世界最高＊の信号増幅率を達成
Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発
3.15.4 産業振興部門 基盤技術研究促進室
博士論文要旨 論文題名：プロセスイノベーションによる科学 - R-Cube
第4回技術セミナー 半導体ネットおかやま2012年第4回
伊予銀行との「せとうち再生支援ファンド」を活用した
新たな米加工品等の展示品の募集について −JAPANFOOD 2006−
ミリ波による高速通信の拡大を牽引する Si基板上の窒化物半導体
GaN増幅器モジュールを加熱源とする産業用 マイクロ波加熱装置
バッファロー大学らの研究によって 安価なソーラーパネルが実現可能に
みずほ学術振興財団 懸賞論文募集のお知らせ
テラヘルツ波を用いた半導体の新評価手法を開発
室温で青色と緑色を発光する 電気ポンピングGaNベースVCSEL
PDF:1.3MB
「超高速 3D カメラを使用した自動荷物検知システム」
GaNパワー半導体を量産供給
