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自立 GaN 基板上 p-n 接合ダイオードの初期耐圧不良解析(1)
自立 GaN 基板上 p-n 接合ダイオードの初期耐圧不良解析(2)
GaN 基板上縦型 p-n 接合ダイオードにおけるメササイズの検討
4.7 kV 耐圧を有する自立 GaN 基板上 p-n 接合ダイオード
「おかしん先端科学奨学金制度」について
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次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発