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自立 GaN 基板上 p-n 接合ダイオードの初期耐圧不良解析(2)

4.7 kV 耐圧を有する自立 GaN 基板上 p-n 接合ダイオード

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GaN 基板上縦型 p-n 接合ダイオードにおけるメササイズの検討

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自立 GaN 基板上 p-n 接合ダイオードの初期耐圧不良解析(1)

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次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案

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Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発

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電子デバイス用大口径窒化ガリウム材料の開発（PDF:420KB）

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研究代表者：酒井 士郎（徳島大学・工学部・教授）

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1 - 森北出版

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抄録集PDF版

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