ダウンロード
  1. No category

4.7 kV 耐圧を有する自立 GaN 基板上 p-n 接合ダイオード

GaN 基板上縦型 p-n 接合ダイオードにおけるメササイズの検討

GaN 基板上縦型 p-n 接合ダイオードにおけるメササイズの検討

自立 GaN 基板上 p-n 接合ダイオードの初期耐圧不良解析(2)

自立 GaN 基板上 p-n 接合ダイオードの初期耐圧不良解析(2)

自立 GaN 基板上 p-n 接合ダイオードの初期耐圧不良解析(1)

自立 GaN 基板上 p-n 接合ダイオードの初期耐圧不良解析(1)

次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案

次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案

Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発

Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発

研究代表者：酒井 士郎（徳島大学・工学部・教授）

研究代表者：酒井 士郎（徳島大学・工学部・教授）