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24 緑色高輝度 LED やレーザ、および、高効率太陽電池を可能にする
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
2014 年ノーベル賞 授賞式に参加して
Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発
電子デバイス用大口径窒化ガリウム材料の開発（PDF:420KB）
研究代表者：酒井 士郎（徳島大学・工学部・教授）
