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紫外線センサーの開発
利 利 - SAP.com
次世代パワーデバイスのブレークスルーを提案
“無酸素銅”これが銅本来の姿
Cat-CVD法により保護膜形成したC帯100W超級GaN
Si基板上GaN系HEMTエピ成長技術の開発
電子デバイス用大口径窒化ガリウム材料の開発(PDF:420KB)
研究代表者:酒井 士郎(徳島大学・工学部・教授)
うつくしま広域スポーツセンター 総合型地域スポーツクラブ要件