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Page 1 Page 2 おか もと やす ひろ 学位(専攻分野) 博 士 (工 学) 学 位
受賞者紹介 - 応用物理学会
GaN HEMTのオン状態ゲート電流の低減（PDF：50.5KB）
ワイドギャップ半導体素子の破壊防止技術 [ PDF：928KB ]
ミリ波による高速通信の拡大を牽引する Si基板上の窒化物半導体
要旨を表示する
AlGaN/GaN-HFETにおけるリセスエッチング制御技術
feature 光デバイス開発を加速する オン・シリコン加工基板
2 - 岩井・角嶋研究室
TiSi - 東京工業大学
イオン注入 GaN MISFET の高性能化に関する研究
1 - 岩井・角嶋研究室
論文 - 徳島大学 大野泰夫研究室
ノーマリオフ型GaN HFETの高性能化
GaAs 基板上に貼り替えたGaN 系青色半導体レーザ
マイクロプラズマ励起大面積高出力深紫外発光素子（MIPE）について 1
研究課題名 窒化物半導体を用いた未開拓波長量子カスケ
AlGaN/GaN HFET 電流コラプス およびサイドゲート効果に関する研究
科学研究費助成事業 研究成果報告書
GaN - 岩井・角嶋研究室
Si 基板上パワーデバイス向け MOCVD 装置の開発
パワーデバイス用kV 級高耐圧GaN/Si 大口径エピウェーハーの成長
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![ワイドギャップ半導体素子の破壊防止技術 [ PDF：928KB ]](http://s1.slideshowjp.com/store/data/000567964_1-5b3adcc80aa82b10c9c1da997a5b89ca-260x520.png)
